采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM024NA04LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4224pF@20V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM033NA04LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@20V
连续漏极电流：141A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N04LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5509pF@20V
连续漏极电流：135A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA180N04S5N012AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.4V@70µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6158pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA180N04S5N012AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6158pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA180N04S5N012AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.4V@70µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6158pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA180N04S5N012AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.4V@70µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6158pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM033NA04LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@20V
连续漏极电流：141A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM024NA04LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4224pF@20V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA180N04S5N012AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.4V@70µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6158pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA180N04S5N012AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.4V@70µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6158pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N04LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5509pF@20V
连续漏极电流：135A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N04LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5509pF@20V
连续漏极电流：135A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA180N04S5N012AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.4V@70µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6158pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA180N04S5N012AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6158pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA180N04S5N012AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6158pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：473，"22+"：3118，"23+"：6872}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA180N04S5N012AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6158pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA180N04S5N012AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6158pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
输入电容：10500pF@20V
功率：125W
栅极电荷：204nC@10V
连续漏极电流：100A
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA180N04S5N012AUMA1
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
阈值电压：3.4V@70µA
类型：N沟道
连续漏极电流：180A
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：6158pF@25V
功率：125W
导通电阻：1.2mΩ@90A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
输入电容：10500pF@20V
功率：125W
栅极电荷：204nC@10V
连续漏极电流：100A
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA180N04S5N012AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.4V@70µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6158pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
