品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N10S312ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":30000,"23+":14870,"24+":3831,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC060N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@50V
连续漏极电流:14.9A€90A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC060N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@50V
连续漏极电流:14.9A€90A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD082N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@75µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@73A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS10C4D2N
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD082N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@75µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@73A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB083N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@75µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@73A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC060N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@90µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@50V
连续漏极电流:14.9A€90A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC060N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@90µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@50V
连续漏极电流:14.9A€90A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB083N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@75µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@73A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC060N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@90µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@50V
连续漏极电流:14.9A€90A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD70N10F4
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5800pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1489}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB083N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@75µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@73A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC060N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@50V
连续漏极电流:14.9A€90A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC060N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@50V
连续漏极电流:14.9A€90A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":831}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB083N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@75µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@73A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB083N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@75µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@73A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N10S3L12ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB083N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@75µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@73A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":831}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB083N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@75µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@73A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCB70N10YB-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2270pF@50V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK33S10N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@10V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@16.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD12CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4320pF@50V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@67A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: