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    功率: 125W
    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    操作
    谷峰 Mosfet场效应管 G65P06K 起订2个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G65P06K 起订2个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G65P06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5814pF@25V

    连续漏极电流:65A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G65P06K 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G65P06K 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G65P06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5814pF@25V

    连续漏极电流:65A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1.7mA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1535pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@21.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1535pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@21.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G65P06K 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G65P06K 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G65P06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5814pF@25V

    连续漏极电流:65A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD380P06NMATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD380P06NMATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD380P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB100N6F7 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STB100N6F7 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB100N6F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1.7mA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1535pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@21.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB5412NT4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB5412NT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":23200}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB5412NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@0V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G65P06K 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G65P06K 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G65P06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5814pF@25V

    连续漏极电流:65A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1.7mA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1535pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@21.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1.7mA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1535pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@21.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD380P06NMATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD380P06NMATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD380P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1.7mA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2118pF@30V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1.7mA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1535pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@21.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2118pF@30V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1535pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@21.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1535pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@21.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2118pF@30V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2118pF@30V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCB110P06Y-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 MCB110P06Y-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCB110P06Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5810pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD14AN06LA0-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD14AN06LA0-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD14AN06LA0-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2810pF@25V

    连续漏极电流:9.5A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1.7mA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1535pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@21.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G65P06K 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G65P06K 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G65P06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5814pF@25V

    连续漏极电流:65A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1535pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@21.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2118pF@30V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD380P06NMATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD380P06NMATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD380P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1.7mA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1.7mA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1535pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@21.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1.7mA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1535pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@21.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":7529}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1535pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@21.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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