品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G65P06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5814pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G65P06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5814pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G65P06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5814pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD380P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@30V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB100N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":23200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB5412NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G65P06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5814pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD380P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@30V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2118pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2118pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2118pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2118pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCB110P06Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5810pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:8.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD14AN06LA0-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2810pF@25V
连续漏极电流:9.5A€50A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G65P06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5814pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2118pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD380P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@30V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":7529}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: