采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD70N10F4
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5800pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：23200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB5412NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@0V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5412NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@0V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5412NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@0V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：23200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB5412NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@0V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：24650，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5412NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@0V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：24650，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5412NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@0V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：24650，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5412NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@0V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：24650，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5412NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@0V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：23200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB5412NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@0V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB5412NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@0V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5412NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@0V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB5412NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@0V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
生产批次：{"09+"：23200}
规格型号(MPN)：NTB5412NT4G
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：3220pF@25V
导通电阻：14mΩ@30A，10V
功率：125W
连续漏极电流：60A
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@0V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD70N10F4
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5800pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：5.8nF@25V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：5.8nF@25V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：5.8nF@25V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：5.8nF@25V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：5.8nF@25V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：5.8nF@25V
阈值电压：4V@250μA
功率：125W
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
漏源电压：100V
栅极电荷：85nC@10V
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
