采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N10S312ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD082N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90330E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.1A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000，"22+"：20540，"23+"：146926，"24+"：38907，"MI+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC100N08S5N043ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.8V@63µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3860pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD082N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB083N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD70N10F4
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5800pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1730，"21+"：1609，"22+"：540，"23+"：5064，"MI+"：1299}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N12S311ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@70A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC100N08S5N043ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.8V@63µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3860pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1489}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB083N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N10S312ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N12S311ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@83µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@70A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N12S311ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@83µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@70A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB049N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.8V@66µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3770pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB100N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：953，"19+"：800，"21+"：33600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7618-55，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：667，"22+"：6544}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N12S311ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12.1mΩ@70A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：831}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB083N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000，"22+"：20540，"23+"：146926，"24+"：38907，"MI+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC100N08S5N043ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.8V@63µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3860pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC100N08S5N043ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.8V@63µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3860pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：23200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB5412NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@0V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB083N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
