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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3U041AAFRATL
功率：29W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3U041AAFRATL
功率：29W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3U041AAFRATL
功率：29W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8S36TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@15V
连续漏极电流：27A€80A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：2.4mΩ@32A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：HP8S36TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@15V
连续漏极电流：27A€80A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：2.4mΩ@32A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3U041AAFRATL
功率：29W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3U041AAFRATL
功率：29W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
栅极电荷：8.3nC@10V
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
阈值电压：5.25V@1mA
输入电容：330pF@25V
漏源电压：200V
功率：29W
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8S36TB
输入电容：6100pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：27A€80A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：2.4mΩ@32A，10V
功率：29W
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
栅极电荷：8.3nC@10V
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
阈值电压：5.25V@1mA
输入电容：330pF@25V
漏源电压：200V
功率：29W
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