采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ14PBF-BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：43W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G160N04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：1.01nF@20V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：76pF@20V
导通电阻：12mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G160N04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：1.01nF@20V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：76pF@20V
导通电阻：12mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ14PBF-BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：43W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
连续漏极电流：5A
栅极电荷：6.7nC@10V
阈值电压：5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
输入电容：250pF@25V
功率：43W
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
连续漏极电流：5A
栅极电荷：6.7nC@10V
阈值电压：5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
输入电容：250pF@25V
功率：43W
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
