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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
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输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
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功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
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输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
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输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMN3110S-7
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功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3110SQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMN3110S-7
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功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMN3110SQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
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功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
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连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
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规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
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功率：740mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1A，10V
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规格型号(MPN)：DMN3110SQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
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连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1A，10V
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规格型号(MPN)：DMN3110S-7
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功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
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规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
栅极电荷：8.6nC@10V
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类型：N沟道
功率：740mW
连续漏极电流：2.5A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
类型：N沟道
功率：740mW
连续漏极电流：2.5A
阈值电压：3V@250µA
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
类型：N沟道
功率：740mW
连续漏极电流：2.5A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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