销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
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输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
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输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32A,10V
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414AN-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414AN-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414AN-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
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连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414AN-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
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连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
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连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
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输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
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输入电容:1550pF@25V
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类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
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类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
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连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
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栅极电荷:40nC@10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414ANT4G
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10T4
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功率:100W
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类型:N沟道
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":900,"12+":4200,"13+":9224,"9999":1476}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414AN-1G
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连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414ANT4G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:32A
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类型:N沟道
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库存: