采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9609-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK90S06N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@10V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK90S06N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@10V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：110，"22+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9629-100B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4360pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：9196}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7608-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2689pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40041EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：450nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM110N05-06L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4440pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40041EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：450nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：15000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7508-40B，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2689pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK90S06N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@10V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK90S06N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@10V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK90S06N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@10V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：9196}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7608-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2689pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：9196}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7608-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2689pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK90S06N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@10V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：33500，"MI+"：2400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9616-75B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4034pF@25V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@25A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9612-55B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：31nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3693pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7626-100B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2891pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM110N05-06L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4440pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7626-100B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2891pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM110N05-06L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4440pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
