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    品牌: ROHM
    功率: 44W
    包装方式: 卷带(TR)
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    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NYTB

    工作温度:175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6003KND3TL1 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6003KND3TL1 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6003KND3TL1

    工作温度:150℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@1mA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:185pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NYTB

    工作温度:175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@410µA

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NYTB

    工作温度:175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@410µA

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订800个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订800个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NYTB

    工作温度:175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订100个装
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    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NYTB

    工作温度:175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@410µA

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NYTB

    工作温度:175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@410µA

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NYTB

    工作温度:175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@410µA

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订100个装
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    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NYTB

    工作温度:175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 R6003KND3TL1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6003KND3TL1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6003KND3TL1

    工作温度:150℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@1mA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:185pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订1个装
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    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NYTB

    工作温度:175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@410µA

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订1个装
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    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NYTB

    工作温度:175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

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    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NYTB

    工作温度:175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@410µA

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订1个装
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    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NYTB

    工作温度:175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@410µA

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 R6003KND3TL1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6003KND3TL1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6003KND3TL1

    工作温度:150℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@1mA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:185pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NYTB

    工作温度:175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NYTB

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    栅极电荷:14nC@18V

    类型:N沟道

    漏源电压:1700V

    工作温度:175℃

    功率:44W

    输入电容:184pF@800V

    阈值电压:4V@410µA

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订10个装
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    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NYTB

    工作温度:175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@410µA

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 R6003KND3TL1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6003KND3TL1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6003KND3TL1

    工作温度:150℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@1mA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:185pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 R6003KND3TL1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6003KND3TL1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6003KND3TL1

    工作温度:150℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@1mA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:185pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 R6003KND3TL1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6003KND3TL1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6003KND3TL1

    工作温度:150℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@1mA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:185pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 R6003KND3TL1 起订5000个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6003KND3TL1 起订5000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6003KND3TL1

    工作温度:150℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@1mA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:185pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 R6003KND3TL1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6003KND3TL1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6003KND3TL1

    工作温度:150℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@1mA

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    输入电容:185pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订400个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订400个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NYTB

    工作温度:175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NYTB

    工作温度:175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@410µA

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 R6003KND3TL1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6003KND3TL1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6003KND3TL1

    工作温度:150℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@1mA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:185pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订30个装
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    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NYTB

    工作温度:175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@410µA

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订800个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订800个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NYTB

    工作温度:175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@410µA

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 R6003KND3TL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6003KND3TL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6003KND3TL1

    工作温度:150℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@1mA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:185pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订400个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订400个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NYTB

    工作温度:175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@410µA

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

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