采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9N50CF
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2R1000MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：5.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@20V
包装方式：管件
输入电容：111pF@1000V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2R1000MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：5.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@20V
包装方式：管件
输入电容：111pF@1000V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF220N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@2.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4560pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@11.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9N50CF
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2R1000MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：5.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@20V
包装方式：管件
输入电容：111pF@1000V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2R1000MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：5.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@20V
包装方式：管件
输入电容：111pF@1000V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2R1000MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：5.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@20V
包装方式：管件
输入电容：111pF@1000V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2R1000MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：5.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@20V
包装方式：管件
输入电容：111pF@1000V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9N50CF
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2R1000MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：5.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@20V
包装方式：管件
输入电容：111pF@1000V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9N50CF
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF220N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@2.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4560pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@11.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF220N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@2.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4560pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@11.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9N50CF
漏源电压：500V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
输入电容：1030pF@25V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：9A
功率：44W
栅极电荷：35nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2R1000MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：5.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@20V
包装方式：管件
输入电容：111pF@1000V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9N50CF
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9N50CF
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
