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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7956DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@4.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3000，"18+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8664R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23.5mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS9351TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.4V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：170mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8693R-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：7mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO220N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2009USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1706pF@10V
连续漏极电流：12.1A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4627R-TR
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3420
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCM2301-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@6V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：1832}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO350N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@6µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2009USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1706pF@10V
连续漏极电流：12.1A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2305U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：727pF@20V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3415A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7956DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@4.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：11.5A€29.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO150N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2123LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3423A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@4.5V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M51GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V€1550pF@25V
连续漏极电流：3A€2.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3419
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2123LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：10+
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：12.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：44mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UFDBQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：536pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3415A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2305UX-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：10.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3413
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：97mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G170P03S2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：1.786nF@4.5V
连续漏极电流：9A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3402
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2220LFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
