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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3415A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2305UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：727pF@20V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3415A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1481-6/TR
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@4.5V，5.5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2305UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：7.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：727pF@20V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3415A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3415A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3415A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2305UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：727pF@20V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2305UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：727pF@20V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2305UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：727pF@20V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2305UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：727pF@20V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2305UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：727pF@20V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3415A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2305UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：727pF@20V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1481-6/TR
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@4.5V，5.5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3402-ES
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：4.4nC
输入电容：390pF
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：41pF
导通电阻：40mΩ@10V，3.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3402-ES
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：4.4nC
输入电容：390pF
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：41pF
导通电阻：40mΩ@10V，3.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3402-ES
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：4.4nC
输入电容：390pF
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：41pF
导通电阻：40mΩ@10V，3.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3402-ES
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：4.4nC
输入电容：390pF
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：41pF
导通电阻：40mΩ@10V，3.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2305UQ-7
阈值电压：900mV@250μA
连续漏极电流：4.2A
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
输入电容：727pF@20V
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
栅极电荷：7.6nC@4.5V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1481-6/TR
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@4.5V，5.5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2305UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：727pF@20V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2305UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：727pF@20V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1481-6/TR
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@4.5V，5.5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3402-ES
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：4.4nC
输入电容：390pF
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：41pF
导通电阻：40mΩ@10V，3.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1481-6/TR
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@4.5V，5.5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1481-6/TR
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@4.5V，5.5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2305UX-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：10.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：52mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2305UXQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：10.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：52mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
