采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3000，"18+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8664R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23.5mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS9351TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.4V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：170mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO220N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：1832}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO350N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@6µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO150N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：10+
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：12.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：44mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G170P03S2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：1.786nF@4.5V
连续漏极电流：9A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3402
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3402L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：464pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：12.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：44mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@5V
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3993CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：111mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS9351TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.4V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：170mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3421E
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：10.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@5V
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3409A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3418L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：464.3pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3035
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@5.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1642
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7309PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：管件
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4A€3A
类型：N和P沟道
导通电阻：50mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3406
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3421E
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：12.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：44mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
