品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3418L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:464.3pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3434A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:245pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F30FHQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:452pF@10V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3434A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:245pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3418L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:464.3pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3418L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:464.3pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCM3400A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2个N沟道
导通电阻:32mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3418L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:464.3pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3418L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:464.3pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3418L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:464.3pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3434A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:245pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3418L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:464.3pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3418L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:464.3pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F30FHQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:452pF@10V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3418L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:464.3pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3418L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:464.3pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCM3400A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2个N沟道
导通电阻:32mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3434A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:245pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDFMA2N028Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: