生产批次:10+
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3401A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:12.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2220LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3401A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:12.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3401A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:12.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2220LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3401A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:9.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:954pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3401A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3401A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:12.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25485F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:533pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@900mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25485F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:533pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@900mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3401A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:9.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:954pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25485F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:533pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@900mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3401A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:954pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2220LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:10+
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3401A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:12.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOC2870
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2220LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOC2870
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3401A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:12.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3401A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:12.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2220LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3401A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:12.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2220LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOC2870
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOC2870
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3401A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:12.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3401A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3401A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:9.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:954pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2220LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2220LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: