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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT64M8LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：47.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2664pF@30V
连续漏极电流：13.6A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT64M8LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：47.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2664pF@30V
连续漏极电流：13.6A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES2310
功率：1.4W
阈值电压：1.35V@250μA
栅极电荷：8.8nC
输入电容：400pF
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：24pF
导通电阻：58mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT67M8LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V
栅极电荷：37.5nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：MOSFET
导通电阻：6.6mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT64M8LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：47.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2664pF@30V
连续漏极电流：13.6A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT64M8LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：47.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2664pF@30V
连续漏极电流：13.6A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT67M8LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V
栅极电荷：37.5nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：MOSFET
导通电阻：6.6mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT67M8LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V
栅极电荷：37.5nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：MOSFET
导通电阻：6.6mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT67M8LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V
栅极电荷：37.5nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：MOSFET
导通电阻：6.6mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES2310
功率：1.4W
阈值电压：1.35V@250μA
栅极电荷：8.8nC
输入电容：400pF
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：24pF
导通电阻：58mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES2310
功率：1.4W
阈值电压：1.35V@250μA
栅极电荷：8.8nC
输入电容：400pF
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：24pF
导通电阻：58mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES2310
功率：1.4W
阈值电压：1.35V@250μA
栅极电荷：8.8nC
输入电容：400pF
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：24pF
导通电阻：58mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT67M8LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V
栅极电荷：37.5nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：MOSFET
导通电阻：6.6mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT64M8LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：47.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2664pF@30V
连续漏极电流：13.6A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
