销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1481-6/TR
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:28mΩ@4.5V,5.5A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407L-JSM
功率:1.4W
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1481-6/TR
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:28mΩ@4.5V,5.5A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407L-JSM
功率:1.4W
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407L-JSM
功率:1.4W
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407L-JSM
功率:1.4W
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:830pF@15V
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:16nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407L-JSM
功率:1.4W
漏源电压:30V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407L-JSM
功率:1.4W
漏源电压:30V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6344TRPBF-ES
功率:1.4W
阈值电压:1.6V
栅极电荷:4.1nC
输入电容:170pF
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF
导通电阻:34mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1481-6/TR
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:28mΩ@4.5V,5.5A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: