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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDFMA2N028Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDFMA2N028Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
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功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：3.7A
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导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：3.7A
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连续漏极电流：3.7A
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阈值电压：1.5V@250µA
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连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@3.7A，4.5V
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导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
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阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
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连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@3.7A，4.5V
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输入电容：235pF@15V
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漏源电压：30V
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类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：3.7A
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
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阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
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导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
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功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
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输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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功率：1.4W
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功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
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输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
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输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
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功率：1.4W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
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ECCN：EAR99
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