品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSS070N05HZGTB
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:16.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1nF@10V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3400H
功率:1.4W
阈值电压:1.45V@250μA
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.25nF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:26mΩ@6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSS070N05HZGTB
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:16.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1nF@10V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSS070N05HZGTB
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:16.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1nF@10V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.25nF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:26mΩ@6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSS070N05HZGTB
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1nF@10V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSS070N05HZGTB
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1nF@10V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSS070N05HZGTB
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1nF@10V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSS070N05HZGTB
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1nF@10V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
输入电容:464.3pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3404
功率:1.4W
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3400L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:9.5nC@4.5V
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSS070N05HZGTB
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1nF@10V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3400H
功率:1.4W
阈值电压:1.45V@250μA
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS2300MA
功率:1.4W
阈值电压:600V@50μA
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:26mΩ@2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM3400
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:9.7nC@4.5V
输入电容:823pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:77pF@15V
导通电阻:25mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM3400
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:9.7nC@4.5V
输入电容:823pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:77pF@15V
导通电阻:25mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS3400MC
功率:1.4W
阈值电压:1.1V@250μA
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@2.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3404
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:9.8nC
输入电容:255pF
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:35pF
导通电阻:16mΩ@10V,6.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML0030TRPBF-ES
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:21mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NCE3400-ES
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:19mΩ@10V,6.0A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
输入电容:545pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
输入电容:545pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
输入电容:545pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3404
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:9.8nC
输入电容:255pF
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:35pF
导通电阻:16mΩ@10V,6.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ES2310
功率:1.4W
阈值电压:1.35V@250μA
栅极电荷:8.8nC
输入电容:400pF
连续漏极电流:3.2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:24pF
导通电阻:58mΩ@10V,3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: