品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
输入电容:536pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2.8A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
输入电容:305pF@5V
连续漏极电流:3.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:85mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
输入电容:305pF@5V
连续漏极电流:3.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:85mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
输入电容:536pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2.8A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
输入电容:305pF@5V
连续漏极电流:3.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:85mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:3.8A
阈值电压:1.4V@250μA
功率:1.4W
输入电容:305pF@5V
导通电阻:85mΩ@4.5V,3.6A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2160UFDB-7
阈值电压:900mV@250μA
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:536pF@10V
连续漏极电流:3.8A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:2个P沟道
漏源电压:20V
导通电阻:70mΩ@4.5V,2.8A
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3424
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@2A,10V
输入电容:270pF@15V
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:3.2nC@4.5V
连续漏极电流:3.8A
工作温度:-55℃~+150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:3.8A
阈值电压:1.4V@250μA
功率:1.4W
输入电容:305pF@5V
导通电阻:85mΩ@4.5V,3.6A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存: