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销售单位：个

规格型号(MPN)：BUB323ZT4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：10A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：2MHz

工作温度：65℃~175℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.7V@250mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@5A，4.6V

包装清单：商品主体 * 1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11020G

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集电集截止电流(Icbo)：1mA

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包装方式：管件

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11020G

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：BUB323ZT4G

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规格型号(MPN)：MJH11020G

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规格型号(MPN)：BUB323ZT4G

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销售单位：个

规格型号(MPN)：BUB323ZT4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11020G

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11020G

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11020G

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：15A

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11022G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11022G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11020G

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11022G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11022G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUB323ZT4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：10A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：2MHz

工作温度：65℃~175℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.7V@250mA，10A

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晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@5A，4.6V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11022G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

集电极电流(Ic)：15A

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集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

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晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11020G

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：15A

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11022G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

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特征频率：3MHz

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ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

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包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11020G

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：15A

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特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

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包装方式：管件

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：JANTX2N6058

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：12A

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工作温度：55℃~175℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@120mA，12A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@6A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11020G

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11022G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUB323ZT4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：10A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：2MHz

工作温度：65℃~175℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.7V@250mA，10A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@5A，4.6V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUB323ZT4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：10A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：2MHz

工作温度：65℃~175℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.7V@250mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@5A，4.6V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：800psc

规格型号(MPN)：BUB323ZT4G

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.7V@250mA，10A

晶体管类型：NPN

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@5A，4.6V

工作温度：65℃~175℃

集射极击穿电压(Vceo)：350V

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

集电极电流(Ic)：10A

ECCN：EAR99

特征频率：2MHz

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11022G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11022G

晶体管类型：NPN

工作温度：65℃~150℃

包装方式：管件

集射极击穿电压(Vceo)：250V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

特征频率：3MHz

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1