采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB100N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4369pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB45NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD050N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.8V@84µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB40NF10LT4
工作温度：-65℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：64nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD068N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4910pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：11221，"MI+"：2030}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD068N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4910pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1407
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH110N10F7-2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5117pF@50V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1407
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH110N10F7-2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5117pF@50V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD068N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4910pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD068N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4910pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB45NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD068N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4910pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：384，"22+"：2423}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD050N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.8V@84µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD050N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.8V@84µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD068N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4910pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40P10-40L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5295pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB100N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4369pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB40NF10LT4
工作温度：-65℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：64nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD068N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4910pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD050N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.8V@84µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：642}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD050N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.8V@84µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD068N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4910pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
