销售单位:个
规格型号(MPN):STO67N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:72.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STO67N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:72.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STO67N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:72.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STO67N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:72.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP25N60M2-EP
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:188mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STO67N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:72.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
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漏源电压:600V
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STO67N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:72.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP25N60M2-EP
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:188mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW25N60M2-EP
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:188mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP25N60M2-EP
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.75V@250µA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:188mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP25N60M2-EP
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:188mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP25N60M2-EP
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:188mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: