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销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@10V，17A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@10V，17A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：61nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：19A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@10V，11A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369-F085
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.53nF@40V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
