采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2552
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：5A€37A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@16A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUB323ZT4G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：10A
功率：150W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
特征频率：2MHz
工作温度：65℃~175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.7V@250mA，10A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@5A，4.6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2552
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：5A€37A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@16A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH11019G
集射极击穿电压(Vceo)：200V
集电极电流(Ic)：15A
功率：150W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：3MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH11020G
集射极击穿电压(Vceo)：200V
集电极电流(Ic)：15A
功率：150W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：3MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP70N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：156nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP70N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：156nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH11020G
集射极击穿电压(Vceo)：200V
集电极电流(Ic)：15A
功率：150W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：3MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：302396，"MI+"：24922}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3360pF@20V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUB323ZT4G
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：10A
功率：150W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
特征频率：2MHz
工作温度：65℃~175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.7V@250mA，10A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@5A，4.6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：384，"22+"：2423}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH11021G
集射极击穿电压(Vceo)：250V
集电极电流(Ic)：15A
功率：150W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：3MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：607}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2552-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：5A€37A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@16A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"23+"：0，"MI+"：3253}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJH11021G
集射极击穿电压(Vceo)：250V
集电极电流(Ic)：15A
功率：150W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
特征频率：3MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP42AN15A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
