品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHS8242TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.35V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:653pF@10V
连续漏极电流:9.9A€21A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@8.5A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:14.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHS9301TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.4V@25µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:6A€13A
类型:P沟道
导通电阻:37mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHS9301TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.4V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:6A€13A
类型:P沟道
导通电阻:37mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD88539ND
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:741pF@30V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2260,"23+":6790}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0589NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD88537ND
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@30V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:14.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ097N04LSG
功率:2.1W
阈值电压:2V@14μA
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.7mΩ@10V,20A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ123N08NS3GATMA1
功率:2.1W
阈值电压:3.5V@33μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.3mΩ@10V,20A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:37mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ086P03NS3G
功率:2.1W
阈值电压:3.1V@105μA
连续漏极电流:13.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:8.6mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1005UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2475pF@6V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6409
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@10V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@15V
连续漏极电流:9.9A
类型:N沟道
导通电阻:20.5mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1005UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2475pF@6V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@15V
连续漏极电流:9.9A
类型:N沟道
导通电阻:20.5mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:14.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SY-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:14.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4013SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4004pF@20V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4013SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4004pF@20V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: