品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4800N15CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:332pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@1.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4800N15CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:332pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@1.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4800N15CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:332pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@1.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4800N15CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:332pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@1.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4800N15CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:332pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@1.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4800N15CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:332pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@1.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4800N15CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:332pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@1.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4800N15CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:332pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@1.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4800N15CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:332pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@1.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4800N15CX6 RFG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
功率:2.1W
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:480mΩ@1.1A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:332pF@10V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:6.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME820NZT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
输入电容:865pF@10V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:9A
导通电阻:18mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
类型:N沟道
栅极电荷:47nC@10V
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:15A
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
类型:N沟道
栅极电荷:47nC@10V
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:15A
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":1330,"22+":36000,"23+":66054}
规格型号(MPN):IRLHS6342TRPBF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
类型:N沟道
栅极电荷:11nC@4.5V
导通电阻:15.5mΩ@8.5A,4.5V
阈值电压:1.1V@10µA
输入电容:1019pF@25V
连续漏极电流:8.7A€19A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@25V
导通电阻:20Ω@100mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:200mA
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDM3622
输入电容:1090pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:60mΩ@4.4A,10V
连续漏极电流:4.4A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFDF-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
连续漏极电流:9.9A
类型:N沟道
导通电阻:20.5mΩ@7A,10V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
输入电容:641pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:6.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4800N15CX6 RFG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
功率:2.1W
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:480mΩ@1.1A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:332pF@10V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME820NZT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
输入电容:865pF@10V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:9A
导通电阻:18mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME820NZT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
输入电容:865pF@10V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:9A
导通电阻:18mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME820NZT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
输入电容:865pF@10V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:9A
导通电阻:18mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHS8242TRPBF
包装方式:卷带(TR)
输入电容:653pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:10.4nC@10V
功率:2.1W
类型:N沟道
漏源电压:25V
连续漏极电流:9.9A€21A
导通电阻:13mΩ@8.5A,10V
阈值电压:2.35V@25µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHS8242TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.35V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:653pF@10V
连续漏极电流:9.9A€21A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@8.5A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:14.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2260,"23+":6790}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0589NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:14.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: