品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM600P03CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:9.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM600P03CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:9.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM600P03CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:9.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM600P03CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:9.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM600P03CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:9.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM600P03CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:9.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM600P03CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:9.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHS9301TRPBF
阈值电压:2.4V@25µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
输入电容:580pF@25V
类型:P沟道
连续漏极电流:6A€13A
导通电阻:37mΩ@7.8A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:37mΩ@6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
输入电容:1490pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
栅极电荷:22nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:68mΩ@6A,10V
功率:2.1W
栅极电荷:17nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
输入电容:879pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHS9301TRPBF
阈值电压:2.4V@25µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
输入电容:580pF@25V
类型:P沟道
连续漏极电流:6A€13A
导通电阻:37mΩ@7.8A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHS9301TRPBF
阈值电压:2.4V@25µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
输入电容:580pF@25V
类型:P沟道
连续漏极电流:6A€13A
导通电阻:37mΩ@7.8A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6409A
导通电阻:41mΩ@5.5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
功率:2.1W
栅极电荷:11nC@4.5V
类型:P沟道
输入电容:905pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6409A
导通电阻:41mΩ@5.5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
功率:2.1W
栅极电荷:11nC@4.5V
类型:P沟道
输入电容:905pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1005UFDF-7
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
导通电阻:8.5mΩ@5A,4.5V
输入电容:2475pF@6V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6409A
导通电阻:41mΩ@5.5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
功率:2.1W
栅极电荷:11nC@4.5V
类型:P沟道
输入电容:905pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM600P03CS RLG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:60mΩ@3A,10V
栅极电荷:9.6nC@4.5V
输入电容:560pF@15V
类型:P沟道
连续漏极电流:4.7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1005UFDF-7
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
导通电阻:8.5mΩ@5A,4.5V
输入电容:2475pF@6V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHS9301TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.4V@25µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:6A€13A
类型:P沟道
导通电阻:37mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHS9301TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.4V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:6A€13A
类型:P沟道
导通电阻:37mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:37mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1005UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2475pF@6V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: