采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：223202，"10+"：2500，"22+"：50000，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1120，"10+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1120，"10+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
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连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
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连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
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连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：25752}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
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栅极电荷：50.6nC@8V
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连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
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连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
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连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
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连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
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类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
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功率：680mW
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类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
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连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：25752}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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