采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UKQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2015UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：45.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1779pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UKQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SFDEQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2015UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：45.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1779pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
