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    功率: 660mW
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    类型: P沟道
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@10V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1537pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1537pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2953pF@4V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@10V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

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    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订18000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订18000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1537pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42.6nC@5V

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    输入电容:2953pF@4V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:P沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

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    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:42.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2953pF@4V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

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    栅极电荷:22nC@10V

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    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:42.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2953pF@4V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@10V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:180nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@10V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2953pF@4V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1537pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2953pF@4V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3C18PZTBG 起订822个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3C18PZTBG 起订822个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3C18PZTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1570pF@6V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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