首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    功率
    包装方式
    工作温度
    行业应用
    类型
    漏源电压
    连续漏极电流
    功率: 660mW
    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 汽车
    类型: P沟道
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1241pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    连续漏极电流:6.8A

    功率:660mW

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:6900pF@10V

    导通电阻:8mΩ@7A,4.5V

    连续漏极电流:7.7A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订42000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订42000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1241pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    连续漏极电流:6.8A

    功率:660mW

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:22nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1241pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    连续漏极电流:6.8A

    功率:660mW

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:22nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1241pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    连续漏极电流:6.8A

    功率:660mW

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:6900pF@10V

    导通电阻:8mΩ@7A,4.5V

    连续漏极电流:7.7A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1537pF@10V

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1537pF@10V

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1241pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    连续漏极电流:6.8A

    功率:660mW

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:22nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3C18PZTBG 起订822个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3C18PZTBG 起订822个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"15+":9000}

    规格型号(MPN):NTLUS3C18PZTBG

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:1570pF@6V

    连续漏极电流:4.4A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:24mΩ@7A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1241pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    连续漏极电流:6.8A

    功率:660mW

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:9.1A

    功率:660mW

    栅极电荷:42.6nC@5V

    输入电容:2953pF@4V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    阈值电压:800mV@250µA

    导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@10V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1537pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1537pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2953pF@4V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@10V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订18000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订18000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1537pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2953pF@4V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:42.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2953pF@4V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:42.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2953pF@4V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧