品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1241pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
连续漏极电流:6.8A
功率:660mW
导通电阻:32mΩ@7A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
输入电容:6900pF@10V
导通电阻:8mΩ@7A,4.5V
连续漏极电流:7.7A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1241pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
连续漏极电流:6.8A
功率:660mW
导通电阻:32mΩ@7A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:22nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1241pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
连续漏极电流:6.8A
功率:660mW
导通电阻:32mΩ@7A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:22nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1241pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
连续漏极电流:6.8A
功率:660mW
导通电阻:32mΩ@7A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
输入电容:6900pF@10V
导通电阻:8mΩ@7A,4.5V
连续漏极电流:7.7A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1537pF@10V
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:14.4nC@4.5V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1537pF@10V
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:14.4nC@4.5V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1241pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
连续漏极电流:6.8A
功率:660mW
导通电阻:32mΩ@7A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:22nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":9000}
规格型号(MPN):NTLUS3C18PZTBG
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:1570pF@6V
连续漏极电流:4.4A
ECCN:EAR99
导通电阻:24mΩ@7A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1241pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
连续漏极电流:6.8A
功率:660mW
导通电阻:32mΩ@7A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:9.1A
功率:660mW
栅极电荷:42.6nC@5V
输入电容:2953pF@4V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:800mV@250µA
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@10V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:14.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1537pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:14.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1537pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2953pF@4V
连续漏极电流:9.1A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@10V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:14.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1537pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2953pF@4V
连续漏极电流:9.1A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:42.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2953pF@4V
连续漏极电流:9.1A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:42.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2953pF@4V
连续漏极电流:9.1A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: