采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5014SLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3261pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@17.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL050N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1.7mA
栅极电荷：119nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@400V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL050N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1.7mA
栅极电荷：119nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@400V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1851}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5690pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@50A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1851}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5690pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@50A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL050N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1.7mA
栅极电荷：119nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@400V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL050N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1.7mA
栅极电荷：119nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@400V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L050N65S3F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1.7mA
栅极电荷：123.8nC@10V
输入电容：4.855nF@400V
连续漏极电流：58A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5014SLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3261pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@17.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2700，"MI+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L050N65S3F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：123.8nC@10V
输入电容：4.855nF@400V
连续漏极电流：58A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL050N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1.7mA
栅极电荷：119nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@400V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2700，"MI+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L050N65S3F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：123.8nC@10V
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连续漏极电流：58A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5014SLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3261pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@17.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1851}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5690pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@50A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2700，"MI+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L050N65S3F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：123.8nC@10V
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连续漏极电流：58A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2700，"MI+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L050N65S3F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：123.8nC@10V
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连续漏极电流：58A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5690pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@50A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5690pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@50A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L050N65S3F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1.7mA
栅极电荷：123.8nC@10V
输入电容：4.855nF@400V
连续漏极电流：58A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2700，"MI+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L050N65S3F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：123.8nC@10V
输入电容：4.855nF@400V
连续漏极电流：58A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL050N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：119nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@400V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT10078BLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2525pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：780mΩ@7A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL050N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1.7mA
栅极电荷：119nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@400V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1851}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5690pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@50A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5014BLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3261pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@17.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2700，"MI+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L050N65S3F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：123.8nC@10V
输入电容：4.855nF@400V
连续漏极电流：58A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT10078BLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2525pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：780mΩ@7A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1851}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5690pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@50A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL050N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1.7mA
栅极电荷：119nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@400V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5690pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@50A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
