采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.3V@74µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.3V@74µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.3V@74µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.3V@74µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.3V@74µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.3V@74µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.3V@74µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD100N04-3M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB026N06N
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：2.1V
栅极电荷：66nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：2.3mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.3V@74µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.3V@74µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.3V@74µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.3V@74µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.3V@74µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.3V@74µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
