采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：798}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R250E6XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@1000V
连续漏极电流：16.1A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：798}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R250E6XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@1000V
连续漏极电流：16.1A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R250E6XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@1000V
连续漏极电流：16.1A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：798}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7AG
输入电容：1370pF@400V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
漏源电压：650V
导通电阻：67mΩ@20A，20V
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7
输入电容：1370pF@400V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
漏源电压：650V
导通电阻：67mΩ@20A，20V
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
