品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB20N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.9V@1mA
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:20.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@13.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R125CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB20N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.9V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:20.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@13.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB20N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB20N60FTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:95pF@25V
导通电阻:150mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB20N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.9V@1mA
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:20.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@13.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB20N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.9V@1mA
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:20.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@13.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R125CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT199N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB20N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.9V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:20.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@13.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB20N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":260,"23+":2588}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT199N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB20N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.9V@1mA
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:20.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@13.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT199N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R125CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB20N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R125CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB20N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT199N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB20N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.9V@1mA
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:20.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@13.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R125CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB20N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.9V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:20.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@13.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB20N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB20N60S5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5.5V@1mA
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R125CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R125CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1.1mA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB20N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.9V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:20.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@13.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: