品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ15T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:45.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75842P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@43A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75842P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@43A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ15T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:45.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ15T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:45.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ15T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:45.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75842P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@43A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):HUF75842P3
连续漏极电流:43A
功率:230W
栅极电荷:175nC@20V
类型:N沟道
输入电容:2730pF@25V
导通电阻:42mΩ@43A,10V
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ15T,118
功率:230W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:32nC@10V
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:45.1A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):HUF75842P3
连续漏极电流:43A
功率:230W
栅极电荷:175nC@20V
类型:N沟道
输入电容:2730pF@25V
导通电阻:42mΩ@43A,10V
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ15T,118
功率:230W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:32nC@10V
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:45.1A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ15T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:45.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ15T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:45.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
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