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    谷峰 Mosfet场效应管 G05P06L 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G05P06L 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G05P06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1366pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G05P06L 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G05P06L 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G05P06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1366pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025LK3-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025LK3-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H025LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1477pF@50V

    连续漏极电流:47.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17552Q3A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17552Q3A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17552Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@15V

    连续漏极电流:15A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:13.3A€57A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:13.3A€57A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G05P06L 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G05P06L 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G05P06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1366pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    谷峰 Mosfet场效应管 G05P06L 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G05P06L 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G05P06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1366pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD17552Q3A 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17552Q3A 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17552Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@15V

    连续漏极电流:15A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17552Q3A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17552Q3A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17552Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@15V

    连续漏极电流:15A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G05P06L 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G05P06L 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G05P06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1366pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT36M1LPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT36M1LPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT36M1LPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT36M1LPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q3A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q3A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:13.3A€57A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    谷峰 Mosfet场效应管 G05P06L 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G05P06L 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G05P06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1366pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:13.3A€57A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:13.3A€57A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONL32328 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AONL32328 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONL32328

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.4V@250µA€2.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:395pF@15V€730pF@15V

    连续漏极电流:8A€7A

    类型:2个N通道和2个P通道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:13.3A€57A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17552Q3A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17552Q3A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17552Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@15V

    连续漏极电流:15A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q3A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q3A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025LK3-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025LK3-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H025LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1477pF@50V

    连续漏极电流:47.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025LK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025LK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H025LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1477pF@50V

    连续漏极电流:47.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q3A 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q3A 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q3A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q3A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONL32328 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AONL32328 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONL32328

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.4V@250µA€2.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:395pF@15V€730pF@15V

    连续漏极电流:8A€7A

    类型:2个N通道和2个P通道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G05P06L 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G05P06L 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G05P06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1366pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q3A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q3A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17552Q3A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17552Q3A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17552Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@15V

    连续漏极电流:15A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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