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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：824，"22+"：84000，"23+"：67500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R600P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.9W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：364pF@400V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：247125}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHT4NQ10T，135
工作温度：-65℃~150℃
功率：6.9W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：60000，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHK31NQ03LT，518
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.9W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4235pF@12V
连续漏极电流：30.4A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1911
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHT4NQ10T，135
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功率：6.9W
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类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.75A，10V
漏源电压：100V
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库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R600P7SATMA1
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类型：N沟道
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库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：PHK31NQ03LT，518
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类型：N沟道
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R600P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.9W
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：824，"22+"：84000，"23+"：67500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R600P7SATMA1
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功率：6.9W
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类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
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品牌：NEXPERIA
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PHT4NQ10T，135
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输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
生产批次：1911
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规格型号(MPN)：PHT4NQ10T，135
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功率：6.9W
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连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPN70R600P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.9W
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连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1911
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHT4NQ10T，135
工作温度：-65℃~150℃
功率：6.9W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.75A，10V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：60000，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHK31NQ03LT，518
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.9W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
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输入电容：4235pF@12V
连续漏极电流：30.4A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R600P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.9W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
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输入电容：364pF@400V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R600P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.9W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
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输入电容：364pF@400V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R600P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.9W
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R600P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.9W
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类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：824，"22+"：84000，"23+"：67500}
规格型号(MPN)：IPN70R600P7SATMA1
功率：6.9W
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
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连续漏极电流：8.5A
漏源电压：700V
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工作温度：-40℃~150℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"17+"：60000，"MI+"：5000}
规格型号(MPN)：PHK31NQ03LT，518
功率：6.9W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
类型：N沟道
栅极电荷：33nC@4.5V
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连续漏极电流：30.4A
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R600P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.9W
阈值电压：3.5V@90µA
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连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R600P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.9W
阈值电压：3.5V@90µA
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输入电容：364pF@400V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R600P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.9W
阈值电压：3.5V@90µA
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输入电容：364pF@400V
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类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R600P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.9W
阈值电压：3.5V@90µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：364pF@400V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1911
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHT4NQ10T，135
工作温度：-65℃~150℃
功率：6.9W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1911
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHT4NQ10T，135
工作温度：-65℃~150℃
功率：6.9W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R600P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.9W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：364pF@400V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
