采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT77N60JC3
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：3.9V@5.4mA
栅极电荷：640nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13600pF@25V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@60A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：200}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL019N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4.8V@15.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：252nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13400pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@37.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH68P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：33400pF@25V
连续漏极电流：68A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT68P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：33400pF@25V
连续漏极电流：68A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL019N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4.8V@15.7mA
栅极电荷：252nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13400pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@37.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT68P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：33400pF@25V
连续漏极电流：68A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL019N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4.8V@15.7mA
栅极电荷：252nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13400pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@37.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH68P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：33400pF@25V
连续漏极电流：68A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL019N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4.8V@15.7mA
栅极电荷：252nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13400pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@37.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APL502J
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4V@2.5mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：9000pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@26A，12V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL019N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4.8V@15.7mA
栅极电荷：252nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13400pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@37.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL019N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4.8V@15.7mA
栅极电荷：252nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13400pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@37.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT68P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：33400pF@25V
连续漏极电流：68A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：200}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL019N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4.8V@15.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：252nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13400pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@37.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT68P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：33400pF@25V
连续漏极电流：68A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH68P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：33400pF@25V
连续漏极电流：68A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH68P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：33400pF@25V
连续漏极电流：68A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：200}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL019N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4.8V@15.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：252nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13400pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@37.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH68P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：33400pF@25V
连续漏极电流：68A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH68P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：33400pF@25V
连续漏极电流：68A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL019N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4.8V@15.7mA
栅极电荷：252nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13400pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@37.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：200}
包装规格(MPQ)：450psc
规格型号(MPN)：NTHL019N60S5F
导通电阻：19mΩ@37.5A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：75A
阈值电压：4.8V@15.7mA
输入电容：13400pF@400V
功率：568W
包装方式：管件
栅极电荷：252nC@10V
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH68P20T
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：33400pF@25V
导通电阻：55mΩ@34A，10V
栅极电荷：380nC@10V
类型：P沟道
功率：568W
包装方式：管件
连续漏极电流：68A
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT68P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：33400pF@25V
连续漏极电流：68A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH68P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：33400pF@25V
连续漏极电流：68A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH68P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：33400pF@25V
连续漏极电流：68A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：200}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL019N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4.8V@15.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：252nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13400pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@37.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH68P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：33400pF@25V
连续漏极电流：68A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH68P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：33400pF@25V
连续漏极电流：68A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：200}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL019N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4.8V@15.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：252nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13400pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@37.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
