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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB8N90CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@25V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.15A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1675，"23+"：12658}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT125N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4V@2.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
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功率：171W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
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栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB8N90CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
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栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@25V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.15A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT125N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4V@2.1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R075CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@820µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3288pF@400V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@16.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1675，"23+"：12658}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT125N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
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功率：171W
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类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
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规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
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功率：171W
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栅极电荷：64nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB65R075CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：171W
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栅极电荷：68nC@10V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：IPB65R075CFD7AATMA1
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功率：171W
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栅极电荷：68nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@16.4A，10V
漏源电压：650V
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功率：171W
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栅极电荷：68nC@10V
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连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@16.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
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连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1675，"23+"：12658}
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规格型号(MPN)：NTMT125N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1675，"23+"：12658}
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规格型号(MPN)：NTMT125N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R075CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：171W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
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连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@16.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1675，"23+"：12658}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT125N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4V@2.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB8N90CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@25V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.15A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：171W
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栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3288pF@400V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@16.4A，10V
漏源电压：650V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R075CFD7AATMA1
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：32A
阈值电压：4.5V@820µA
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@16.4A，10V
功率：171W
栅极电荷：68nC@10V
漏源电压：650V
输入电容：3288pF@400V
工作温度：-40℃~150℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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