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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA26DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2247pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA26DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2247pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA26DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2247pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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功率：43.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
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输入电容：2247pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA26DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2247pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：8056，"18+"：9050，"23+"：18000，"9999"：1500，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPSA70R600P7SAKMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：43.1W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@400V
包装方式：管件
输入电容：364pF@400V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：8056，"18+"：9050，"23+"：18000，"9999"：1500，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPSA70R600P7SAKMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：43.1W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@400V
包装方式：管件
输入电容：364pF@400V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA26DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2247pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA26DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2247pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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工作温度：-55℃~150℃
功率：43.1W
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类型：N沟道
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连续漏极电流：60A
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工作温度：-55℃~150℃
功率：43.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2247pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
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漏源电压：25V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：43.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2247pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
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功率：43.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2247pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：43.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2247pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：43.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2247pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA26DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2247pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA26DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2247pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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