采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH029N65S3-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：4.5V@7mA
栅极电荷：201nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6340pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@37.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH12N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：4080pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@6A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C2M0025120D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：463W
阈值电压：2.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：161nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2.788nF@1000V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@50A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH12N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：4080pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@6A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH029N65S3-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：4.5V@7mA
栅极电荷：201nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6340pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@37.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH029N65S3-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：4.5V@7mA
栅极电荷：201nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6340pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@37.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4196}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH029N65S3-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：4.5V@7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：201nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6340pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@37.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS1M025120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：4V@15mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@1000V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@50A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4196}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH029N65S3-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：4.5V@7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：201nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6340pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@37.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C2M0025120D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：463W
阈值电压：2.4V@10mA
栅极电荷：161nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2.788nF@1000V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@50A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4196}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH029N65S3-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：4.5V@7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：201nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6340pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@37.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STWA65N023M9
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8844pF@400V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@48A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STWA65N023M9
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8844pF@400V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@48A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4196}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH029N65S3-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：4.5V@7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：201nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6340pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@37.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH12N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：4080pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@6A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH12N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：4080pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@6A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STWA65N023M9
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8844pF@400V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@48A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4196}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH029N65S3-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：4.5V@7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：201nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6340pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@37.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4196}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH029N65S3-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：4.5V@7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：201nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6340pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@37.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH029N65S3-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：4.5V@7mA
栅极电荷：201nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6340pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@37.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C2M0025120D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：463W
阈值电压：2.4V@10mA
栅极电荷：161nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2.788nF@1000V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@50A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4196}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH029N65S3-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：4.5V@7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：201nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6340pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@37.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH12N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：4080pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@6A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH12N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：4080pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@6A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH12N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：4080pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@6A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH12N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：4080pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@6A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STWA65N023M9
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8844pF@400V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@48A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C2M0025120D
输入电容：2.788nF@1000V
导通电阻：34mΩ@50A，20V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：90A
阈值电压：2.4V@10mA
功率：463W
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：161nC@20V
漏源电压：1.2kV
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH12N100P
栅极电荷：80nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：1000V
输入电容：4080pF@25V
连续漏极电流：12A
导通电阻：1.05Ω@6A，10V
功率：463W
包装方式：Tube
阈值电压：5V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C2M0025120D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：463W
阈值电压：2.4V@10mA
栅极电荷：161nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2.788nF@1000V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@50A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
