品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.73W
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:50.4nC@8V
输入电容:2.588nF@10V
连续漏极电流:10.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@4.5V,9.7A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.73W
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:50.4nC@8V
输入电容:2.588nF@10V
连续漏极电流:10.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@4.5V,9.7A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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