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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4448P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4448P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：44，"20+"：43，"23+"：6150，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BFL4026-1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4408P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4408P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4408P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4408P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4408P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4408P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：71，"18+"：7650，"19+"：38900，"21+"：27，"23+"：398，"9999"：350，"MI+"：2257}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BFL4026-1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4408P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4408P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4408P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：44，"20+"：43，"23+"：6150，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BFL4026-1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：44，"20+"：43，"23+"：6150，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BFL4026-1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：71，"18+"：7650，"19+"：38900，"21+"：27，"23+"：398，"9999"：350，"MI+"：2257}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BFL4026-1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4408P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：71，"18+"：7650，"19+"：38900，"21+"：27，"23+"：398，"9999"：350，"MI+"：2257}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BFL4026-1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4448P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4448P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4408P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：71，"18+"：7650，"19+"：38900，"21+"：27，"23+"：398，"9999"：350，"MI+"：2257}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BFL4026-1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4408P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
