采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB26N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：169W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：169W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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阈值电压：4V@250µA
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类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@10A，10V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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