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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.2V@98µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2546pF@25V

    连续漏极电流:21A€111A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH4210DTRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH4210DTRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH4210DTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.1V@100µA

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4812pF@13V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLT1G 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.2V@98µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2546pF@25V

    连续漏极电流:21A€111A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.2V@98µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2546pF@25V

    连续漏极电流:21A€111A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD5C446NLT1G 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD5C446NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.2V@90µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3170pF@25V

    连续漏极电流:25A€145A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.65mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD5C446NLT1G 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD5C446NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.2V@90µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3170pF@25V

    连续漏极电流:25A€145A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.65mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD5C446NLT1G 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD5C446NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.2V@90µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3170pF@25V

    连续漏极电流:25A€145A

    类型:2N沟道(双)

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    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订1500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G

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    功率:3.5W€125W

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€125W

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.2V@98µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2546pF@25V

    连续漏极电流:21A€111A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH4210DTRPBF 起订2个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH4210DTRPBF

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订1个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD5C446NLT1G 起订2个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD5C446NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

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    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH4210DTRPBF 起订10个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH4210DTRPBF

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD5C446NLT1G 起订2个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD5C446NLT1G

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订1个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€125W

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    ECCN:EAR99

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLT1G 起订1个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLT1G 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLT1G

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    功率:3.5W€125W

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLT1G 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLT1G

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLT1G 起订1500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLT1G

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLT1G 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLT1G

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    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD5C446NLT1G 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

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    规格型号(MPN):NTMFD5C446NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

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    ECCN:EAR99

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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

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    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G

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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

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    规格型号(MPN):NTMFD5C446NLT1G

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    分类:Mosfet场效应管

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    分类:Mosfet场效应管

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    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.2V@98µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2546pF@25V

    连续漏极电流:21A€111A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.2V@98µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2546pF@25V

    连续漏极电流:21A€111A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.2V@98µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2546pF@25V

    连续漏极电流:21A€111A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.2V@98µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2546pF@25V

    连续漏极电流:21A€111A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLT1G 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLT1G 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.2V@98µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2546pF@25V

    连续漏极电流:21A€111A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

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